casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / FESB8JT-E3/45
Número de pieza del fabricante | FESB8JT-E3/45 |
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Número de parte futuro | FT-FESB8JT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FESB8JT-E3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB8JT-E3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FESB8JT-E3/45-FT |
8TQ080S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
8TQ100STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229B-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229B-200-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229B-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229B-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel