casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BY229B-200HE3/81
Número de pieza del fabricante | BY229B-200HE3/81 |
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Número de parte futuro | FT-BY229B-200HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BY229B-200HE3/81 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.85V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 145ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BY229B-200HE3/81 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BY229B-200HE3/81-FT |
VS-STPS20L15GR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETH03SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH1506S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-18TQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS08SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF02S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF04S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF04STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation