casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / MBRB10H90HE3/81
Número de pieza del fabricante | MBRB10H90HE3/81 |
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Número de parte futuro | FT-MBRB10H90HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB10H90HE3/81 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 90V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 770mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 4.5µA @ 90V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB10H90HE3/81 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBRB10H90HE3/81-FT |
FESB8BT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel