casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / FESB8CT-E3/81
Número de pieza del fabricante | FESB8CT-E3/81 |
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Número de parte futuro | FT-FESB8CT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FESB8CT-E3/81 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 150V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 950mV @ 8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 150V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB8CT-E3/81 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FESB8CT-E3/81-FT |
20TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20TQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20TQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel