casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / FESB8BT-E3/81
Número de pieza del fabricante | FESB8BT-E3/81 |
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Número de parte futuro | FT-FESB8BT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FESB8BT-E3/81 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 950mV @ 8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB8BT-E3/81 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FESB8BT-E3/81-FT |
20L15TS
Vishay Semiconductor Diodes Division
20TQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20TQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20TQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation