casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / MBRB10H35-E3/45
Número de pieza del fabricante | MBRB10H35-E3/45 |
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Número de parte futuro | FT-MBRB10H35-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB10H35-E3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 35V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 850mV @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 35V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB10H35-E3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MBRB10H35-E3/45-FT |
FESB16DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16FT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16FTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16HTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel