casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / FESB16FTHE3/45
Número de pieza del fabricante | FESB16FTHE3/45 |
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Número de parte futuro | FT-FESB16FTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FESB16FTHE3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 300V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 16A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 16A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 300V |
Capacitancia a Vr, F | 175pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB16FTHE3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FESB16FTHE3/45-FT |
20ETF08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel