casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 20ETS08S
Número de pieza del fabricante | 20ETS08S |
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Número de parte futuro | FT-20ETS08S |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
20ETS08S Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 20A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 800V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
20ETS08S Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 20ETS08S-FT |
VS-6TQ045S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ045STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ100S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel