casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / FESB16JT-E3/81
Número de pieza del fabricante | FESB16JT-E3/81 |
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Número de parte futuro | FT-FESB16JT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FESB16JT-E3/81 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 16A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 16A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | 145pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB16JT-E3/81 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FESB16JT-E3/81-FT |
20ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20L15TS
Vishay Semiconductor Diodes Division
20TQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel