casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1
Número de pieza del fabricante | MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 |
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Número de parte futuro | FT-MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FRAM |
Tecnología | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | 33MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1-FT |
IS25WP128-JBLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
GD25D05CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D10CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ10CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
25LC512-I/SM
Microchip Technology
24FC512-I/SM
Microchip Technology
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel