casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MB85RC64TAPNF-G-BDERE1
Número de pieza del fabricante | MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 |
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Número de parte futuro | FT-MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FRAM |
Tecnología | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | 3.4MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MB85RC64TAPNF-G-BDERE1-FT |
IS25LQ020B-JNLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
24FC1025-I/SM
Microchip Technology
IS25WP128-JBLE
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
GD25D05CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D10CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ10CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel