casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M93C56-WMN6TP
Número de pieza del fabricante | M93C56-WMN6TP |
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Número de parte futuro | FT-M93C56-WMN6TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M93C56-WMN6TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 2Kb (256 x 8, 128 x 16) |
Frecuencia de reloj | 2MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M93C56-WMN6TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M93C56-WMN6TP-FT |
TC58NVG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NYG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58CYG0S3HQAIE
Toshiba Memory America, Inc.
70V5388S100BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S100BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S133BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S133BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel