casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / TC58NVG2S0HBAI6
Número de pieza del fabricante | TC58NVG2S0HBAI6 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-TC58NVG2S0HBAI6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TC58NVG2S0HBAI6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | 25ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 67-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 67-VFBGA (6.5x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58NVG2S0HBAI6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TC58NVG2S0HBAI6-FT |
W25Q32FVTCJF TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJQ
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJQ TR
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIF
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIG
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIP
Winbond Electronics
W25Q64FVTCJQ
Winbond Electronics
W25Q64FVTCJQ TR
Winbond Electronics
W978H6KBVX2E
Winbond Electronics
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel