casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / TC58NVG2S0HBAI6
Número de pieza del fabricante | TC58NVG2S0HBAI6 |
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Número de parte futuro | FT-TC58NVG2S0HBAI6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TC58NVG2S0HBAI6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | 25ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 67-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 67-VFBGA (6.5x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58NVG2S0HBAI6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TC58NVG2S0HBAI6-FT |
W25Q32FVTCJF TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJQ
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJQ TR
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIF
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIG
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIP
Winbond Electronics
W25Q64FVTCJQ
Winbond Electronics
W25Q64FVTCJQ TR
Winbond Electronics
W978H6KBVX2E
Winbond Electronics
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel