casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M58BW16FB4T3T TR
Número de pieza del fabricante | M58BW16FB4T3T TR |
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Número de parte futuro | FT-M58BW16FB4T3T TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M58BW16FB4T3T TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 16Mb (512K x 32) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 80-BQFP |
Paquete del dispositivo del proveedor | 80-PQFP (19.9x13.9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58BW16FB4T3T TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M58BW16FB4T3T TR-FT |
R1LV0108ESF-5SR#S0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SR#B0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SR#S0
Renesas Electronics America
RMLV0816BGSA-4S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV1616AGSA-5S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV0816BGSA-4S2#KA0
Renesas Electronics America
RMLV1616AGSA-5S2#KA0
Renesas Electronics America
HYB25D512800CE-5
Sharp Microelectronics
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel