casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / M5060TB1000
Número de pieza del fabricante | M5060TB1000 |
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Número de parte futuro | FT-M5060TB1000 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M5060TB1000 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Three Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 60A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.35V @ 50A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M5060TB1000 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M5060TB1000-FT |
GBJ804-F
Diodes Incorporated
GBJ2010-F
Diodes Incorporated
GBJ2001-F
Diodes Incorporated
GBJ1006-F
Diodes Incorporated
GBJ801
Diodes Incorporated
GBJ602-F
Diodes Incorporated
GBJ1501-F
Diodes Incorporated
GBJ1508-F
Diodes Incorporated
GBJ606-F
Diodes Incorporated
GBJ608-F
Diodes Incorporated
LFXP6C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P400-2FG256I
Microsemi Corporation
A1425A-VQG100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C8
Intel
EP4CE30F23C8LN
Intel
5SGXEA5N2F40I2N
Intel
5SGXMA7H2F35C1N
Intel
LCMXO640E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF33C7N
Intel