casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ2010-F
Número de pieza del fabricante | GBJ2010-F |
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Número de parte futuro | FT-GBJ2010-F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2010-F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 10A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2010-F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ2010-F-FT |
DSRHD04-13
Diodes Incorporated
DSRHD06-13
Diodes Incorporated
DSRHD08-13
Diodes Incorporated
DSRHD10-13
Diodes Incorporated
W005G
Diodes Incorporated
W01G
Diodes Incorporated
W02G
Diodes Incorporated
W04G
Diodes Incorporated
W06G
Diodes Incorporated
W08G
Diodes Incorporated
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG68
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6N
Intel
10AX022E3F29E2LG
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FF1152I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC10E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation