Número de pieza del fabricante | GBJ801 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBJ801 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ801 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 4A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ801 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ801-FT |
DSRHD10-13
Diodes Incorporated
W005G
Diodes Incorporated
W01G
Diodes Incorporated
W02G
Diodes Incorporated
W04G
Diodes Incorporated
W06G
Diodes Incorporated
W08G
Diodes Incorporated
W10G
Diodes Incorporated
RS401L
Diodes Incorporated
RS402L
Diodes Incorporated
XC4010XL-3TQ144I
Xilinx Inc.
XCV200E-8FG456C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA484C
Xilinx Inc.
M1AFS600-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4
Intel
5SGXEA3K3F40C3N
Intel
LFXP3C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G6F35C6N
Intel
EP3SL70F780I3
Intel