casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M48Z12-70PC1
Número de pieza del fabricante | M48Z12-70PC1 |
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Número de parte futuro | FT-M48Z12-70PC1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M48Z12-70PC1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-PCDIP, CAPHAT® |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M48Z12-70PC1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M48Z12-70PC1-FT |
TC58BVG2S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3ETA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3ETAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0FTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG3S0FTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG2S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel