casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / TC58BVG2S0HTAI0
Número de pieza del fabricante | TC58BVG2S0HTAI0 |
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Número de parte futuro | FT-TC58BVG2S0HTAI0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Benand™ |
TC58BVG2S0HTAI0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | 25ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58BVG2S0HTAI0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TC58BVG2S0HTAI0-FT |
W9725G6JB25I
Winbond Electronics
W9725G6KB-18
Winbond Electronics
W9725G6KB-18 TR
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W9725G6KB25I
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W9725G6KB25I TR
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W9751G6IB-25
Winbond Electronics
W9751G6KB-18
Winbond Electronics
W9751G6KB-18 TR
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W9751G6KB-25 TR
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W9751G6KB25I TR
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XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel