casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / TC58BVG1S3HTAI0
Número de pieza del fabricante | TC58BVG1S3HTAI0 |
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Número de parte futuro | FT-TC58BVG1S3HTAI0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Benand™ |
TC58BVG1S3HTAI0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | 25ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP I |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58BVG1S3HTAI0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TC58BVG1S3HTAI0-FT |
W9725G6KB-18
Winbond Electronics
W9725G6KB-18 TR
Winbond Electronics
W9725G6KB25I
Winbond Electronics
W9725G6KB25I TR
Winbond Electronics
W9751G6IB-25
Winbond Electronics
W9751G6KB-18
Winbond Electronics
W9751G6KB-18 TR
Winbond Electronics
W9751G6KB-25 TR
Winbond Electronics
W9751G6KB25I TR
Winbond Electronics
W631GG6KB-15
Winbond Electronics
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel