casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W320DB7AZA6E
Número de pieza del fabricante | M29W320DB7AZA6E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-M29W320DB7AZA6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W320DB7AZA6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-TFBGA (7x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W320DB7AZA6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W320DB7AZA6E-FT |
M29F400FT55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F400FT55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FT5AM62
Micron Technology Inc.
M29F400FT5AM6T2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FT5AN6E2
Micron Technology Inc.
M29F800AB70M1
Micron Technology Inc.
M29F800DB70M1
Micron Technology Inc.
M29F800DB70M6
Micron Technology Inc.
M29F800DB70M6E
Micron Technology Inc.
M29F800DT70M6
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel