casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29F400FT55N3E2
Número de pieza del fabricante | M29F400FT55N3E2 |
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Número de parte futuro | FT-M29F400FT55N3E2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29F400FT55N3E2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-SOIC (0.496", 12.60mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29F400FT55N3E2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29F400FT55N3E2-FT |
M27W102-80K6
STMicroelectronics
M27W201-80K6
STMicroelectronics
M27W202-100K6
STMicroelectronics
M27W401-80K6
STMicroelectronics
M27W512-100K6
STMicroelectronics
M27W512-100K6TR
STMicroelectronics
M27W801-100K6
STMicroelectronics
M27W801-100N6
STMicroelectronics
M28W160CT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M28W160ECB70ZB6U TR
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel