casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M27W512-100K6TR
Número de pieza del fabricante | M27W512-100K6TR |
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Número de parte futuro | FT-M27W512-100K6TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M27W512-100K6TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EPROM |
Tecnología | EPROM - OTP |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-LCC (J-Lead) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-PLCC (11.35x13.89) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27W512-100K6TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M27W512-100K6TR-FT |
LH28F320BJE-PBTL90
Sharp Microelectronics
LH28F320S3HNS-L11
Sharp Microelectronics
LH28F320S3HNS-ZM
Sharp Microelectronics
LH28F320S5HNS-L90
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LH28F320S5NS-L90
Sharp Microelectronics
LH28F320SKTD-ZR
Sharp Microelectronics
LH28F800BJE-PTTL90
Sharp Microelectronics
LH5116-10
Sharp Microelectronics
LH5116-10F
Sharp Microelectronics
LH5116NA-10
Sharp Microelectronics
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation