casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29F800DB70M6
Número de pieza del fabricante | M29F800DB70M6 |
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Número de parte futuro | FT-M29F800DB70M6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29F800DB70M6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-SOIC (0.525", 13.34mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29F800DB70M6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29F800DB70M6-FT |
M27W801-100N6
STMicroelectronics
M28W160CT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M28W160ECB70ZB6U TR
Micron Technology Inc.
M28W160FSB70ZA6E
Micron Technology Inc.
M28W160FST70ZA6E
Micron Technology Inc.
M28W320HCB70D11
Micron Technology Inc.
M28W320HST70ZA6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCT70N6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCT70ZB6E
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel