casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W320DB7AN6F TR
Número de pieza del fabricante | M29W320DB7AN6F TR |
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Número de parte futuro | FT-M29W320DB7AN6F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W320DB7AN6F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W320DB7AN6F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W320DB7AN6F TR-FT |
M29F400FT55M3T2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FT55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F400FT55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FT5AM62
Micron Technology Inc.
M29F400FT5AM6T2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FT5AN6E2
Micron Technology Inc.
M29F800AB70M1
Micron Technology Inc.
M29F800DB70M1
Micron Technology Inc.
M29F800DB70M6
Micron Technology Inc.
M29F800DB70M6E
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel