casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M24C64-DRMN8TP/K
Número de pieza del fabricante | M24C64-DRMN8TP/K |
---|---|
Número de parte futuro | FT-M24C64-DRMN8TP/K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
M24C64-DRMN8TP/K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | 1MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 4ms |
Tiempo de acceso | 450ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24C64-DRMN8TP/K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M24C64-DRMN8TP/K-FT |
TC58NYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NYG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58CYG0S3HQAIE
Toshiba Memory America, Inc.
70V5388S100BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S100BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel