casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M24C16-RMN6TP
Número de pieza del fabricante | M24C16-RMN6TP |
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Número de parte futuro | FT-M24C16-RMN6TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M24C16-RMN6TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | 400kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | 900ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24C16-RMN6TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M24C16-RMN6TP-FT |
W979H6KBVX2I TR
Winbond Electronics
W97AH2KBVX2E
Winbond Electronics
W97AH6KBVX2E
Winbond Electronics
W97AH6KBVX2E TR
Winbond Electronics
W97AH6KBVX2I TR
Winbond Electronics
W97BH2KBVX2E
Winbond Electronics
W97BH2KBVX2I
Winbond Electronics
W97BH6KBVX2E
Winbond Electronics
W97BH6KBVX2I
Winbond Electronics
THGBMHG6C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel