casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M24C08-FMN6TP
Número de pieza del fabricante | M24C08-FMN6TP |
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Número de parte futuro | FT-M24C08-FMN6TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M24C08-FMN6TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 8Kb (1K x 8) |
Frecuencia de reloj | 400kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | 900ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24C08-FMN6TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M24C08-FMN6TP-FT |
W97BH6KBVX2I
Winbond Electronics
THGBMHG6C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMNG5D1LBAIT
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG8C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG6C1LBAWL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C2LBAWR
Toshiba Memory America, Inc.
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Toshiba Memory America, Inc.
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Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG9C8LBAWG
Toshiba Memory America, Inc.
XCKU035-1FBVA676I
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XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
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A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
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