casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M24C02-RMN6TP
Número de pieza del fabricante | M24C02-RMN6TP |
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Número de parte futuro | FT-M24C02-RMN6TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M24C02-RMN6TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 2Kb (256 x 8) |
Frecuencia de reloj | 400kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | 900ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24C02-RMN6TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M24C02-RMN6TP-FT |
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A
Micron Technology Inc.
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A TR
Micron Technology Inc.
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A
Micron Technology Inc.
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR
Micron Technology Inc.
MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A
Micron Technology Inc.
W978H2KBVX2E
Winbond Electronics
W978H2KBVX2I
Winbond Electronics
W979H2KBVX2E
Winbond Electronics
W979H6KBVX2E
Winbond Electronics
W979H6KBVX2E TR
Winbond Electronics
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel