casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LQM18PZ2R2MDHD
Número de pieza del fabricante | LQM18PZ2R2MDHD |
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Número de parte futuro | FT-LQM18PZ2R2MDHD |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQM18 |
LQM18PZ2R2MDHD Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 650mA |
Corriente - Saturación | 250mA |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 470 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 80MHz |
Calificaciones | AEC-Q200 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0603 (1608 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.037" (0.95mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQM18PZ2R2MDHD Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LQM18PZ2R2MDHD-FT |
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A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1EQC
Microchip Technology
AT40K05-2RQC
Microchip Technology
5SGXMA5K3F40I3LN
Intel
LFE2M20SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34I3LG
Intel
EP2AGX65CU17C6ES
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