casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LQM21PZ4R7NGRD
Número de pieza del fabricante | LQM21PZ4R7NGRD |
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Número de parte futuro | FT-LQM21PZ4R7NGRD |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQM21 |
LQM21PZ4R7NGRD Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 4.7µH |
Tolerancia | ±30% |
Valoración actual | 800mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 288 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 30MHz |
Calificaciones | AEC-Q200 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.041" (1.05mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQM21PZ4R7NGRD Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LQM21PZ4R7NGRD-FT |
DFE201612R-H-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612R-H-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-1R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-3R3M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-R33M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-R68M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010R-H-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010R-H-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010R-H-2R2M=P2
Murata Electronics North America
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel