casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / DFE252010R-H-2R2M=P2
Número de pieza del fabricante | DFE252010R-H-2R2M=P2 |
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Número de parte futuro | FT-DFE252010R-H-2R2M=P2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252010R |
DFE252010R-H-2R2M=P2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.7A |
Corriente - Saturación | 2.1A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 126 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252010R-H-2R2M=P2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DFE252010R-H-2R2M=P2-FT |
82223C
Murata Power Solutions Inc.
82682C
Murata Power Solutions Inc.
82152C
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82154C
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82222C
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82224C
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82332C
Murata Power Solutions Inc.
82333C
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82334C
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82472C
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A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel