casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / DFE252010R-H-2R2M=P2
Número de pieza del fabricante | DFE252010R-H-2R2M=P2 |
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Número de parte futuro | FT-DFE252010R-H-2R2M=P2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252010R |
DFE252010R-H-2R2M=P2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.7A |
Corriente - Saturación | 2.1A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 126 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252010R-H-2R2M=P2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DFE252010R-H-2R2M=P2-FT |
82223C
Murata Power Solutions Inc.
82682C
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82152C
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82154C
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82222C
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82224C
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82332C
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82333C
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82334C
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82472C
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XCKU035-2FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG400
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXBC4C6F27C7N
Intel
10CL055YF484I7G
Intel
EPF10K50VFC484-1
Intel
5SGXMB6R3F40I3N
Intel
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Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation