casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / DFE18SAN1R0MG0L
Número de pieza del fabricante | DFE18SAN1R0MG0L |
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Número de parte futuro | FT-DFE18SAN1R0MG0L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE18SAN |
DFE18SAN1R0MG0L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Metal |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.7A |
Corriente - Saturación | 2.1A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 128 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0603 (1608 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE18SAN1R0MG0L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DFE18SAN1R0MG0L-FT |
DFE252010P-R33M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-R68M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010R-H-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010R-H-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010R-H-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010R-H-4R7M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-3R3M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-R33M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R15M=P2
Murata Electronics North America
XC6SLX45-2FGG676C
Xilinx Inc.
XCKU060-2FFVA1517E
Xilinx Inc.
AT40K10-2DQC
Microchip Technology
5SGXEA9K3H40I3N
Intel
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29I3
Intel