casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / JANS1N5809
Número de pieza del fabricante | JANS1N5809 |
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Número de parte futuro | FT-JANS1N5809 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JANS1N5809 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 875mV @ 4A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 30ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | B, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N5809 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JANS1N5809-FT |
JAN1N5819UR-1
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JAN1N5811US
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JAN1N5806
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JAN1N5711-1
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Microsemi Corporation
JAN1N5620
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JAN1N5619
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JAN1N5617
Microsemi Corporation
JAN1N5616
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XC4010XL-1TQ144C
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XC6SLX150-N3FG900C
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A3P250-1VQG100I
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A3PN250-Z1VQG100
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EP4CGX50DF27C8N
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5SGXEA5K3F35C2N
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XC5VLX110T-2FF1136I
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LCMXO2-4000HC-4BG256I
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5AGXFB3H4F35I3N
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EP2AGX45DF29C6N
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