casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / JAN1N5619
Número de pieza del fabricante | JAN1N5619 |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N5619 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/429 |
JAN1N5619 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.6V @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 250ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 800V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | A, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5619 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N5619-FT |
CDLL4454
Microsemi Corporation
1N4531UR
Microsemi Corporation
1N483BUR
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1N485BUR
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1N645UR-1
Microsemi Corporation
CDLL0.2A20
Microsemi Corporation
CDLL0.2A30
Microsemi Corporation
CDLL0.2A40
Microsemi Corporation
CDLL0.5A20
Microsemi Corporation
CDLL0.5A30
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
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XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
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EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
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LCMXO1200E-3M132I
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10AX090U3F45I2LG
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5CGXFC4C6M13C7N
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EP3C55F780C7
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