casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / JAN1N5806
Número de pieza del fabricante | JAN1N5806 |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N5806 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JAN1N5806 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 150V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 975mV @ 2.5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 150V |
Capacitancia a Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | A, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5806 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N5806-FT |
1N4153UR-1
Microsemi Corporation
1N4938UR-1
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CDLL3600
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CDLL4148
Microsemi Corporation
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1N4531UR
Microsemi Corporation
1N483BUR
Microsemi Corporation
1N485BUR
Microsemi Corporation
1N645UR-1
Microsemi Corporation
CDLL0.2A20
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
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AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
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10CL055YU484C8G
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EP4SGX230KF40C3N
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5SGSMD4E3H29I3LN
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LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
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10AX032E2F29E1HG
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