casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / JAN2N7227U
Número de pieza del fabricante | JAN2N7227U |
---|---|
Número de parte futuro | FT-JAN2N7227U |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/592 |
JAN2N7227U Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 400V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 415 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-267AB |
Paquete / Caja | TO-267AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N7227U Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN2N7227U-FT |
IXTC26N50P
IXYS
IXTC62N15P
IXYS
IXTC72N30T
IXYS
IXTC75N10
IXYS
IXTD1R4N60P 11
IXYS
IXTD2N60P-1J
IXYS
IXTD3N50P-2J
IXYS
IXTD3N60P-2J
IXYS
IXTD4N80P-3J
IXYS
IXTD5N100A
IXYS
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel