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IXYS IXTD3N60P-2J

Name: IXTD3N60P-2J
Brand: IXYS
SKU: IXTD3N60P-2J
Availability: InStock
Rating: 4.9 (788 reviews)

Número de pieza de MFG: IXTD3N60P-2J

Cantidad disponible: 39220 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: IXYS

Breve descripción: PolarHV™ MOSFET N-CH 600

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXTD3N60P-2J.pdf

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IXTD3N60P-2J Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXTD3N60P-2J
Número de parte futuro	FT-IXTD3N60P-2J
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PolarHV™
IXTD3N60P-2J Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Last Time Buy
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	9.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	411pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	70W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	Die
Paquete / Caja	Die
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTD3N60P-2J Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXTD3N60P-2J-FT

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