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IXYS IXTD1R4N60P 11

Name: IXTD1R4N60P 11
Brand: IXYS
SKU: IXTD1R4N60P 11
Availability: InStock
Rating: 4.9 (27 reviews)

Número de pieza de MFG: IXTD1R4N60P 11

Cantidad disponible: 17880 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: IXYS

Breve descripción: PolarHV™ MOSFET N-CH 600V

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXTD1R4N60P 11.pdf

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IXTD1R4N60P 11 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXTD1R4N60P 11
Número de parte futuro	FT-IXTD1R4N60P 11
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PolarHV™
IXTD1R4N60P 11 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	5.2nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	140pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	Die
Paquete / Caja	Die
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTD1R4N60P 11 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXTD1R4N60P 11-FT

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