casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / JAN1N6157US
Número de pieza del fabricante | JAN1N6157US |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N6157US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6157US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | 1 |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 32.7V |
Voltaje - Avería (Min) | 38.86V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 62.06V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 24.13A |
Potencia - Pulso pico | 1500W (1.5kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, C |
Paquete del dispositivo del proveedor | C, SQ-MELF |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6157US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N6157US-FT |
JAN1N6128A
Microsemi Corporation
JAN1N6128AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6128US
Microsemi Corporation
JAN1N6129
Microsemi Corporation
JAN1N6129A
Microsemi Corporation
JAN1N6129AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6129US
Microsemi Corporation
JAN1N6130
Microsemi Corporation
JAN1N6130A
Microsemi Corporation
JAN1N6130AUS
Microsemi Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
EPF8282AVTC100-3
Intel
EP3C55U484C6N
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
10AX032E2F27I2LG
Intel
5SGSMD6N1F45I2N
Intel
AX1000-FG676I
Microsemi Corporation
A42MX24-3TQG176
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation