casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / JAN1N6129
Número de pieza del fabricante | JAN1N6129 |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N6129 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6129 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | 1 |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 69.2V |
Voltaje - Avería (Min) | 82.18V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 131.36V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 3.8A |
Potencia - Pulso pico | 500W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | B, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6129 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N6129-FT |
JAN1N6104
Microsemi Corporation
JAN1N6104A
Microsemi Corporation
JAN1N6104AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6104US
Microsemi Corporation
JAN1N6105
Microsemi Corporation
JAN1N6105A
Microsemi Corporation
JAN1N6105AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6105US
Microsemi Corporation
JAN1N6106
Microsemi Corporation
JAN1N6106A
Microsemi Corporation
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
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10M08DCF484C8G
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EP4SGX530KF43C4N
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EP3SE80F1152C4N
Intel
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LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation