casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / JAN1N6129US
Número de pieza del fabricante | JAN1N6129US |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N6129US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6129US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | 1 |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 69.2V |
Voltaje - Avería (Min) | 82.18V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 131.36V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 3.8A |
Potencia - Pulso pico | 500W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, B |
Paquete del dispositivo del proveedor | B, SQ-MELF |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6129US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N6129US-FT |
JAN1N6104US
Microsemi Corporation
JAN1N6105
Microsemi Corporation
JAN1N6105A
Microsemi Corporation
JAN1N6105AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6105US
Microsemi Corporation
JAN1N6106
Microsemi Corporation
JAN1N6106A
Microsemi Corporation
JAN1N6106AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6106US
Microsemi Corporation
JAN1N6107
Microsemi Corporation
XA6SLX25-2FTG256Q
Xilinx Inc.
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF23I7N
Intel
EP3SL70F484C4LN
Intel
5SGXEA7N2F45I2N
Intel
5SGXEB5R1F43C2LN
Intel
5SGXEA5K2F35C1N
Intel
XC4VFX40-11FFG1152I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF29C6NES
Intel
EPF10K100EBC356-1
Intel