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IXYS IXFN100N10S1

Número de pieza de MFG
IXFN100N10S1
Cantidad disponible
86040 Piezas
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fabricante
IXYS
Breve descripción
HiPerFET™ MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-IXFN100N10S1
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™
IXFN100N10S1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4500pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 360W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja SOT-227-4, miniBLOC
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN100N10S1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXFN100N10S1-FT

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