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IXYS IXFN82N60Q3

Name: IXFN82N60Q3
Brand: IXYS
SKU: IXFN82N60Q3
Price: 34.528 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (505 reviews)

Número de pieza de MFG: IXFN82N60Q3

Cantidad disponible: 83020 Piezas

Precio de referencia: USD 34.528

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fabricante: IXYS

Breve descripción: HiPerFET™ MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXFN82N60Q3.pdf

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IXFN82N60Q3 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXFN82N60Q3
Número de parte futuro	FT-IXFN82N60Q3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™
IXFN82N60Q3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	66A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6.5V @ 8mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	275nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	13500pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	960W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-227B
Paquete / Caja	SOT-227-4, miniBLOC
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN82N60Q3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXFN82N60Q3-FT

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