casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFN210N30X3
Número de pieza del fabricante | IXFN210N30X3 |
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Número de parte futuro | FT-IXFN210N30X3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFN210N30X3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 300V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 210A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 105A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 375nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 24200pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 695W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-227B |
Paquete / Caja | SOT-227-4, miniBLOC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN210N30X3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFN210N30X3-FT |
IXFH150N17T
IXYS
IXFH150N17T2
IXYS
IXFH15N100
IXYS
IXFH15N100Q
IXYS
IXFH15N60
IXYS
IXFH15N80
IXYS
IXFH160N15T
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IXFH20N60
IXYS
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
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EP1C20F324C8N
Intel