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IXYS IXFH150N17T2

Name: IXFH150N17T2
Brand: IXYS
SKU: IXFH150N17T2
Price: 5.002136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (183 reviews)

Número de pieza de MFG: IXFH150N17T2

Cantidad disponible: 24170 Piezas

Precio de referencia: USD 5.002136

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fabricante: IXYS

Breve descripción: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 175V 150A TO-247

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXFH150N17T2.pdf

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IXFH150N17T2 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXFH150N17T2
Número de parte futuro	FT-IXFH150N17T2
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
IXFH150N17T2 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	175V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	150A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	233nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	14600pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	880W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja	TO-247-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH150N17T2 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXFH150N17T2-FT

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