casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFH21N50
Número de pieza del fabricante | IXFH21N50 |
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Número de parte futuro | FT-IXFH21N50 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFH21N50 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 21A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 10.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4200pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 300W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247AD (IXFH) |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH21N50 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFH21N50-FT |
IXFQ23N60Q
IXYS
IXFT10N100
IXYS
IXFT120N15P
IXYS
IXFT12N100
IXYS
IXFT12N100Q
IXYS
IXFT12N90Q
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IXYS
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IXYS
IXFT14N100
IXYS
IXFT15N100Q
IXYS
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel