casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFH50N85X
Número de pieza del fabricante | IXFH50N85X |
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Número de parte futuro | FT-IXFH50N85X |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFH50N85X Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 850V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 4mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4480pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 890W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH50N85X Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFH50N85X-FT |
IXFT12N100Q
IXYS
IXFT12N90Q
IXYS
IXFT13N100
IXYS
IXFT13N80Q
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IXYS
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
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10CL025ZE144I8G
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5SGXEA7H3F35I4
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