casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFT20N60Q
Número de pieza del fabricante | IXFT20N60Q |
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Número de parte futuro | FT-IXFT20N60Q |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFT20N60Q Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3300pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 300W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-268 |
Paquete / Caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT20N60Q Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFT20N60Q-FT |
IXFT15N100Q3
IXYS
IXFT12N100F
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XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
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M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
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5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
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LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation