casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTT82N25P
Número de pieza del fabricante | IXTT82N25P |
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Número de parte futuro | FT-IXTT82N25P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PolarHT™ |
IXTT82N25P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 82A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 41A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 142nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4800pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 500W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-268 |
Paquete / Caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTT82N25P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTT82N25P-FT |
IXTK32P60P
IXYS
IXTK550N055T2
IXYS
IXTK600N04T2
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IXTK82N25P
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EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
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A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
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